سنتجت سامسونغ في معرض كومبوتكس 2026 نموذجًا أوليًا لذاكرة HBM5 Stack

سامسونج إلكترونيكس — الخطوات الأولى نحو HBM5

أعلنت سامسونج إلكترونيكس مؤخرًا عن بدء توريد عينات ذاكرة HBM4E، ومع ذلك تعمل بنشاط على الجيل التالي – HBM5. في معرض كومبوتكس 2025، عرضت الشركة نموذجًا كبيرًا للرقاقة HBM5 لتوفير فكرة عامة عن هيكلها. من الواضح بالفعل أن التقنية ستكون معقدة ومتطلبة.

تفاصيل التطوير الرئيسية
المعلمة ماذا تفعل سامسونج القاعدة الأساسية المصنوع ذاتيًا على عملية 2 نانومتر عدد طبقات DRAM من 12 إلى 20 (تقنية الفئة 1c) الترانزستورات GAA المخطط لاستخدامها في رقاقات 2 نانومتر العملية التقنية أقل من 1 نانومتر الشركة واثقة بأنها ستتمكن من إتقانها مستقبلاً
أكد مدير القسم التقني في سامسونج إلكترونيكس، سون تشي هوك (Song Jaehyuk)، مشاركة الشركة في تطوير وتطبيق هذه التقنيات. وجود وحدة تعاقدية يتيح تلبية متطلبات أكثر العملاء صرامة، بما في ذلك Nvidia.

المقارنة مع HBM4E
* يستخدم HBM4E قاعدة 4 نانومتر وعملية تقنية 1c لتصنيع رقاقات DRAM التي تشكل طبقة الذاكرة.
* سيقدم HBM5:
* قاعدة أكثر رقيقة (2 نانومتر) وعدد طبقات مرن (12–20).
* مسار الحرارة HPB – قناة تبريد فعالة للتبريد الفعال.
* سرعة تبادل بيانات محسّنة بفضل الهندسة المعمارية المحسّنة.

تم اختبار تقنية HPB بالفعل على مثال HBM4E، وتخطط سامسونج لاستخدام طرق متقدمة لتبديد الحرارة لتحسين استقرار الذاكرة. يُتوقع بدء الإنتاج الضخم لـ HBM5 في عام 2028، وفي إطار HBM5E ستُصنع رقاقات DRAM وفقًا لعملية تقنية أكثر تقدمًا 1d.

ما يفعله المنافسون
* تستخدم SK hynix تقنية تبريد مشابهة – iHBM. هذا يعني أن حل سامسونج ليس فريدًا من حيث التبديد الحراري.
* كما تقوم SK hynix بتطبيق رقاقات 2 نانومتر ضمن HBM5 وتخطط للإنتاج الضخم باستخدام iHBM.

الاستنتاج
تعمل سامسونج إلكترونيكس بالفعل على تطوير HBM5 على أساس عملية تقنية 2 نانومتر، مع توقع حتى 20 طبقة DRAM ومبادل حراري مبتكر HPB. يُخطط الإصدار الكبير في عام 2028، بينما يستخدم المنافسون مثل SK hynix حلولًا مشابهة (iHBM). بشكل عام، تُظهر سامسونج ثقتها في إتقان تقنيات أقل من 1 نانومتر واستعدادها لتلبية متطلبات أكبر العملاء.