تُحقق DDR5 الآن أرباحًا أكبر من HBM، وفقًا للجهات الرائدة في تصنيع الذاكرة

تُحقق DDR5 الآن أرباحًا أكبر من HBM، وفقًا للجهات الرائدة في تصنيع الذاكرة

12 hardware

ملخص مختصر

في ديسمبر من العام الماضي، اعترف رئيس شركة Micron Technology بأن ربحية إنتاج DRAM الكلاسيكية (DDR5) أعلى من تلك الخاصة بإصدار HBM. وأكد هذا الاستنتاج مرة أخرى في تقرير الربع المالي الأخير. يُظهر منافسو الشركة مؤشرات مالية مماثلة.

الحقائق الرئيسية

مؤشر DDR5 HBM ربحية تقريباً 80٪ 60٪
- في الربع الماضي، ارتفعت هوامش Micron الإجمالية من 75٪ إلى 81٪، مؤكدة زيادة الربحية ليس فقط في قطاع HBM.
- شعرت Samsung، كأكبر مُنتِج للذاكرة، بالاتجاهات المماثلة منذ نهاية العام الماضي.

لماذا ترتفع أسعار DDR5؟

1. الطلب على DRAM – أدى ارتفاع الطلب على الذاكرة العادية إلى رفع أسعار DDR5، لأن عروضها أصبحت محدودة.
2. تحويل الإنتاج – تحول المصنعون بشكل جماعي إلى HBM، مما ترك موارد أقل لـ DDR5. أدى ذلك إلى زيادة الأسعار حتى وصلت إلى مستوى يجعل بيعها أكثر ربحية.
3. انخفاض تكاليف DDR5 – تكلفة إنتاج DDR5 أقل بكثير من HBM، لذا الفرق بين الإيرادات والمصروفات أعلى، ما يزيد الربحية.

الريادة التكنولوجية

- تتقدم الشركات الكورية الجنوبية (SK hynix، Samsung) على المُنتِجين الصينيين في تقنية HBM بحوالي ثلاث سنوات.
- إذا ظلت الأسعار مرتفعة، قد يثبت المنافسون الصينيون في سوق DDR. ومع ذلك، قد تحد العقوبات الأمريكية من قدراتهم.

استراتيجيات العقود

- تخطط Samsung لإبرام عقود طويلة الأجل (3–5 سنوات) مع أحجام وأسعار ثابتة مرتبطة بمستويات السوق الحالية. يُلزم العملاء بدفع دفعات مقدمة كبيرة؛ وسيعتمد حسابهم على تقلبات الأسعار.
- تستخدم Micron أيضًا اتفاقيات طويلة الأمد، لكن تشمل أبحاثًا: ستُكيف أنواع HBM الجديدة وفقًا لمتطلبات محددة للعملاء. تركز الشركة على توريدات شاملة لمراكز البيانات (DDR5 + HBM).

المستقبل والآفاق

- من المقرر تشغيل مرافق إنتاج جديدة قبل نهاية العام المقبل.
- مع استمرار الطلب المتزايد، سيستمر هوامش مُنتِجي الذاكرة في النمو.
- تبحث SK hynix عن طرق مبتكرة لتثبيت الأسعار، لكن فعالية هذه الإجراءات غير معروفة حتى الآن.

التعليقات (0)

شارك أفكارك — يرجى الالتزام بالأدب والبقاء ضمن الموضوع.

لا توجد تعليقات بعد. اترك تعليقًا وشارك رأيك!

لترك تعليق، يرجى تسجيل الدخول.

سجّل الدخول للتعليق