تخطط شركة إنتل بالتعاون مع سافت بانك لإطلاق بديل لذاكرة HBM بحلول عام 2029

تخطط شركة سوبربانك وشركة إنتل لإطلاق ذاكرة ز-أنجل (ZAM) في السوق بحلول عام 2029

يتم تنفيذ هذا المشروع عبر الشركة التابعة لسوبربانك، Saimemory، التي ستعنى بالبحث والتطوير والمبيعات. وستوفر إنتل تقنيات التصنيع والتغليف. يشارك أيضًا شركة فوجيتسو اليابانية في المشروع.

لماذا نحتاج إلى ذاكرة ز-أنجل
* مشاكل HBM الحالية:
- مكلفة للغاية وتستهلك طاقة كبيرة.
- مع زيادة حجم الإنتاج، يعاني DRAM الكلاسيكي من نقص الموارد.
* هدف Z‑AM هو تقديم بديل أكثر اقتصادًا وكفاءة في استهلاك الطاقة، مع الحفاظ على كثافة البيانات العالية.

الخصائص التقنية
المعلمة | الوصف
---|---
البنية | مكدس متعدد الطبقات من الشرائح (مماثل لـ HBM)، لكن باستخدام طرق تغليف وأرشيتكتشر متقدمة.
الكثافة | سعة المكدس الفردية أعلى بمقدار 2-3 مرات مقارنة بـ HBM.
استهلاك الطاقة | يقل بنحو النصف مقارنة بـ HBM.
تكلفة الإنتاج | من المتوقع أن تبقى على المستوى الحالي أو تنخفض حتى 40٪.

تقنية التغليف
* تقدم إنتل تقنية NGDB (Next‑Generation Die Bonding) التي تعزز كفاءة الطاقة لذاكرة ZAM مقارنةً بـ HBM.
* تم تنفيذ ثمانية طبقات DRAM فوق البلورة الأساسية في النماذج الأولية.

خطة الإطلاق
1. نماذج أولية وسيطة – عرضها حتى نهاية مارس 2028.
2. الإنتاج الضخم – يبدأ خلال الـ 12 شهرًا التالية للعرض، أي تقريبًا منتصف عام 2029.

وبهذا يعتزم سوبربانك وإنتل توسيع إنتاج ذاكرة ز-أنجل بسرعة، مقدمين خيارًا أكثر قابلية للوصول وكفاءة في استهلاك الطاقة للأنظمة عالية الأداء المستقبلية.